| 品牌 | 昊量光電 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
c-sense硅壓阻自傳感懸臂梁
c-sense硅壓阻自傳感懸臂梁啟動套件的核心元件是前置放大器。它提供了一個基于惠斯通電橋的傳感器，具有穩定和低噪聲的參考電壓，并放大了電橋輸出信號。c-sense自傳感懸臂一般可用于放大小傳感器電壓。這個信號被連接到一個數據讀出裝置（鎖相放大器，原子力顯微鏡控制器等）。內部固定參考電壓為2.048 V，但可以通過跳線切換到外部橋接電源。總增益設為G=100，高帶寬為2.5 MHz。輸出信號中的失調電壓可以通過添加外部直流偏置或手動使用板載電位器進行校正。下面的圖片顯示了自傳感入門套件的內容。
c-sense自傳感懸臂啟動套件包括：
1)連接到扁平柔性電纜的計數器部分PCB
2)前置放大器
3)輸出電纜
4)兩個懸臂箱，每個懸臂箱有10個懸臂
Self-Sensing Cantilever Probes 自傳感懸臂探針
硅壓阻自傳感懸臂梁在原子力顯微鏡（AFM）、納米探測、扭矩磁強計或其他傳感應用（如氣體動力學和介質特性）領域實現了全新的應用。
這些懸臂梁展示了一個集成的壓阻惠斯頓電橋，可以直接測量懸臂梁的電偏轉。這種讀出技術消除了以前需要的消耗空間的光學激光讀出。
自傳感技術可以輕松無縫地與各種儀器（例如SEM， TEM，以及許多其他測量系統）集成。懸臂芯片通過一個小連接器連接到一個小PCB上，用于快速懸臂交換。
標準SCL自傳感懸臂梁的半徑小于15 nm，可用于各種共振頻率和彈簧常數。長壽命的scd懸臂也是可用的。
Self-Sensing Si-Tip Cantilevers 自傳感硅尖懸臂梁
標準自傳感懸臂，帶有鋒利的硅尖，用于AFM顯微鏡，力傳感等，在接觸或非接觸模式下。
Self-Sensing Tipless Cantilevers 無自傳感懸臂梁
適用于各種應用，如高靈敏度氣體檢測，扭矩磁強計，力傳感等。
Self-Sensing SCD-Tip Cantilevers 自傳感SCD懸臂梁
具有堅硬和長壽命單晶金剛石的自傳感懸臂梁，用于AFM，高縱橫比樣品等。
三層MEMS懸臂技術
新型“自感測"懸臂梁，內置電子和驅動機制將電子和驅動機制集成到諸如 MEMS 懸臂梁之類的微機械裝置中，被廣泛用于將施加的力轉換為可電測的信號。在原子力顯微鏡（AFM）中采用這種“自感測"懸臂梁，可以省去通過懸臂梁背面反射激光進行光學讀取。這為那些在待測樣品上方沒有足夠空間安裝光學讀取模塊，或者樣品必須浸入甚至不透明液體（如生物樣品）中的新應用開辟了道路。
在大多數傳統 AFM 中，c-sense懸臂梁的偏轉是通過光學光束偏轉法檢測的，即激光束從懸臂梁背面反射后聚焦在四象限光電二極管上。另一種方法是通過集成的壓阻式傳感器測量懸臂梁的彎曲。通過惠斯通電橋測量傳感器的電阻，可實現高靈敏度。由于傳感器與懸臂梁中性軸的距離增大，自感知懸臂梁的偏轉靈敏度隨其厚度增加而增大。然而，懸臂梁的彈簧常數隨其厚度的增加而顯著增大。
這些新型懸臂梁的設計采用了由彈性軟聚合物芯材被兩層硬薄膜包裹而成的結構。這種獲得專力的新懸臂梁概念為優化 MEMS 懸臂梁的性能提供了更多的自由度。這與標準的硅或氮化硅自感測懸臂梁相比，三明治結構的非常顯著優勢在于：
• 對于給定的共振頻率 f0，三明治結構的力靈敏度比硅懸臂梁高 10 倍。
• 將聚合物用作原子力顯微鏡懸臂梁的核心，可提高其帶寬 f0/Q（Q 為機械品質因數）。在真空成像時，由于沒有空氣阻尼，這一優勢尤為明顯。即使成像速度比硅或氮化硅自感測懸臂梁快 10 倍，也能實現出色的分辨率。
• 所有傳感元件和電氣連接都密封在 MEMS 設備內部，這使得三明治結構的器件非常適合在液體中進行測量——即使是在不透明、導電或化學環境惡劣的情況下。
三明治結構技術自感測懸臂梁。例如，適用于液體的膜型表面應力傳感器或力傳感器，其分辨率可達納牛級。有關詳細描述，請參閱納希德·侯賽尼等人所著的《用于高靈敏度流體兼容 MEMS 設備的混合聚合物/陶瓷/半導體制造平臺，集成電子器件密封》（arxiv_2307.05221）。
Standard TriLayer Cantilevers標準三層懸臂梁
自傳感三層懸臂梁具有獨特的結構與氮化硅薄膜和聚合物芯-可在不同的尺寸。
KPFM / c-AFM Trilayer Cantilevers KPFM / c-AFM三層懸臂梁
自傳感三層懸臂梁具有導電涂層，易于在KPFM或c-AFM測量中使用。
Quantum Cryogenic Trilayer Cantilevers 量子低溫三層懸臂梁
為低溫量子研究優化的自傳感三層懸臂梁-具有三角形設計，集成鉑跡，用于在低溫下穩定，高精度地探測量子相干性，隧道和自旋動力學。
規格表
| Dimensions (l x w x h) | |
| pre-amp PCB | 48 x 28 x 1.6 mm |
| Pre-amp PCB incl. connectors | 52 x 28 x 7 mm |
| Enclosure | 46 x 36 x 18 mm |
| Electrical Specifications | |
| Operation voltage Vs | +/-5…+/-15 V |
| Gain, voltage amplification | 100x |
| Bandwidth | f3dB = 2,5 MHz @ 2mVpp sine input signal |
| Power consumption | 340 mW @ Vs = +/-10V (IBias = +/-17 mA) 160 mW @ Vs = +/-5V (IBias = +/-16 mA) |
| Total offset adjustment range | (Vs-) +1.4 V to (Vs+) -1.0 V |
| manual onboard offset range | +/-5V |
| Output impedance | 50 Ohm |
| Input impedance | 3 GΩ || 6 pF |
| Wheatstone bridge supply voltage (external input possible) | 2,048 V (voltage reference) |
| Slewrate output stage | 27 V/µs |
| Connectors and cables | |
| Input connector (cantilever side) | FFC 8 Pin |
| Output connector | Header Connector 8 Pin |
| Input FFC cable | FFC, 8 pol, length=152mm |
| Output cable | shielded flexible cable, l=1m, open ends |
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