SEM刻蝕子系統(tǒng)

XENOS刻寫(xiě)子系統(tǒng)是一種允許設(shè)計(jì)圖案數(shù)據(jù)并產(chǎn)生用于帶電粒子束（例如用于半導(dǎo)體光刻應(yīng)用或聚焦離子束系統(tǒng)的電子束）轉(zhuǎn)向的相應(yīng)偏轉(zhuǎn)信號(hào)的系統(tǒng)。可以連接到傳統(tǒng)的掃描電子顯微鏡、FIB或雙光設(shè)備上，升級(jí)系統(tǒng)，在半導(dǎo)體或其他材料上進(jìn)行納米光刻。

高速刻寫(xiě)

可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)40MHz的像素速率。由于采用了智能寫(xiě)入算法，可以考慮當(dāng)前SEM的有限偏轉(zhuǎn)帶寬。優(yōu)化的數(shù)據(jù)傳輸和穩(wěn)定時(shí)間計(jì)算與高寫(xiě)入速度相匹配，以提供快速寫(xiě)入的所有優(yōu)點(diǎn)。

智能且通用的格式

使用三階多項(xiàng)式掃描邏輯，可以僅基于硬件以Max速度生成和寫(xiě)入這些多項(xiàng)式。因此，圓形、環(huán)形或橢球體可以由同心的單像素環(huán)書(shū)寫(xiě)，通常在曝光過(guò)程中不需要消隱。并且，可以用Min的數(shù)據(jù)開(kāi)銷(xiāo)和傳輸時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)理想的寫(xiě)入速度和近似質(zhì)量。此外，與結(jié)構(gòu)的多邊形部分的光柵掃描相比，偏轉(zhuǎn)信號(hào)的正弦形狀消耗的偏轉(zhuǎn)帶寬要小得多。同時(shí)，寫(xiě)入算法對(duì)稱地使用X軸和Y軸的帶寬。

高靈活性

模塊化系統(tǒng)可以進(jìn)行配置，以滿zu您的需求。邏輯配置和DSP內(nèi)核可以在幾分鐘內(nèi)更新，以提供新功能。

配置高，應(yīng)用界面友好

完整的偏轉(zhuǎn)信號(hào)生成是在每軸16/32位的可編程邏輯器件中實(shí)現(xiàn)的。特別是場(chǎng)校正不使用帶寬限制的乘法模擬DAC，而是數(shù)字構(gòu)建的，工作到Max寫(xiě)入速度，而在產(chǎn)生的偏轉(zhuǎn)信號(hào)中沒(méi)有任何失真。

控制軟件ECP基于Linux或Windows使用，CAD部分可在工作組中自由使用。

SEM刻蝕子系統(tǒng)應(yīng)用圖例：

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